摘要：碲锌镉（CdZnTe）是一种性能优异的室温核辐射半导体探测器材料,广泛应用于核安全、核医学以及空间科学等领域.然而,传统的CdZnTe平面探测器受制于＂空穴拖尾＂效应的影响,探测性能有待改善.采用改进的垂直布里奇曼法生长的In掺杂Cd0.9Zn0.1Te单晶制备出单载流子收集的4×4像素阵列探测器,通过电流-电压（I-V）测试和γ射线能谱响应测试,研究了像素探测器的电学性能和载流子电输运性能,随之与相应的CdZnTe平面探测器进行了性能对比.结果表明,CdZnTe像素探测器的电阻率约为1.73×10^10Ω·cm,且施加100 V偏压后单像素点的最大漏电流小于2.2 nA;当施加偏压升高至300 V时,单像素点对^241Am@59.5 keV的γ射线的最佳能量分辨率可达5.78%,探测性能优于相同条件下制备的CdZnTe平面探测器.

关键词：碲锌镉 像素探测器 

单位：西安工业大学材料与化工学院; 陕西省光电功能材料与器件重点实验室; 西安710021; 西北工业大学材料学院; 凝固技术国家重点实验室; 西安710072