摘要：利用基于同步辐射的近边X射线吸收精细结构谱（NEXAFS）和共振光电子谱（RPES）研究了苝四甲酸二酐分子（PTCDA）薄膜的电子结构.碳K边NEXAFS谱中能量小于290 eV的四个峰对应于PTCDA分子不同化学环境碳原子1s电子到未占据分子轨道的共振跃迁.RPES谱中观察到共振光电子发射和共振俄歇电子发射导致的共振峰结构,以及二次谐波激发的碳1s信号.根据电子动能对入射光能量的依赖性分别对三类峰结构进行了归属.同时,发现PTCDA分子轨道共振光电子峰的强度具有光子能量依赖性.这种能量选择性共振增强效应是由于PTCDA分子轨道空间分布差异导致的.共振俄歇峰主要源于高结合能（〉4.1 eV）分子轨道能级电子参与的退激发过程.明确RPES实验谱图中各个峰结构的起源有助于准确利用基于RPES的芯能级空穴时钟谱技术定量估算有机分子/电极异质界面处电子从分子未占据轨道到电极导带的超快转移时间.

关键词：有机半导体 近边吸收精细结构谱 共振俄歇 同步辐射光电子能谱 

单位：安徽建筑大学材料与化学工程学院; 合肥230601; 中国科学院强磁场科学中心; 安徽省极端条件凝聚态物理重点实验室; 合肥230031