摘要：为了避免光照对铟镓锌氧薄膜晶体管（InGaZnO thin film transistors,IGZO TFTs）电学特性的影响,IGZO TFT要增加遮光金属层.本文研究了遮光金属栅极悬浮时,IGZO TFT的输出特性.采用器件数值计算工具TCAD（technology computer-aided design）分析了IGZO层与栅介质层界面处电势分布,证实了悬浮栅（floating gate,FG）IGZO TFT输出曲线的不饱和现象是由悬浮栅与TFT漏端的电容耦合造成.基于等效电容的电压分配方法,提出了悬浮栅IGZO TFT电流的一阶模型.TCAD数值分析及一阶物理模型结果与测试具有较高程度的符合,较完整地解释了悬浮栅IGZO TFT的电学特性.

关键词：ingazno 悬浮栅 薄膜晶体管 器件模型 

单位：中南大学物理与电子学院; 长沙410083