摘要：对国际上有关铟镓锌氧化物薄膜晶体管中氢元素的来源、存在形式、表征方法以及对器件性能的影响进行了综述．氢元素是铟镓锌氧化物薄膜晶体管中最为常见的杂质元素，能以正离子和负离子两种形式存在于薄膜晶体管的沟道中，并对器件性能和电学可靠性产生影响．对铟镓锌氧化物薄膜晶体管而言，沟道中氢元素浓度越高，其场效应迁移率越高、亚阂值摆幅越小、器件的电学稳定性也越好．同时，工艺处理温度过低或过高都不利于其器件性能的改善，通常以200-300℃为宜．

关键词：铟镓锌氧化物 薄膜晶体管 氢元素杂质 电学可靠性 

单位：复旦大学微电子学院; 专用集成电路与系统国家重点实验室; 上海200433