摘要：总结了我们将原位技术和透射电子显微学分析方法相结合,针对纳米材料和器件的结构、形貌、成分以及电势分布等物理性质的动态行为所开展的综合物性表征和分析工作.主要成果有：揭示了C60纳米晶须在焦耳热作用下的结构相变路径;观察到了电荷俘获存储器中的电荷存储位置以及栅极电压诱导的氧空位缺陷;研究了阻变存储器中氧空位通道的形成过程以及导电通道的开关机理.这些成果不但有助于深入理解纳米材料和器件相关功能的物理机理,改善其工作性能,更展示了透射电子显微学在微电子领域强大的研究能力.

关键词：透射电子显微学 原位 纳米材料 微电子器件 

单位：中国科学院物理研究所、北京凝聚态物理国家研究中心、先进材料与结构分析实验室; 北京100190; 中国科学院大学物理科学学院; 北京100049; 北京大学信息科学技术学院; 北京100871; 中国科学院微电子研究所、微电子器件与集成技术重点实验室; 北京100029; 天津理工大学材料科学与工程学院; 天津300384; 清华大学微电子与纳电子学系; 北京100084