摘要：报道了在铝酸镧（00l）衬底上生长Tl-1223超导薄膜的快速升温烧结方法以及铊（Tl）源陪烧靶的配比对Tl-1223薄膜晶体结构的影响.扫描电子显微镜观测表明,采用快速升温烧结方法生长的Tl-1223超导薄膜具有致密的晶体结构.X-射线衍射等测试表明,采用合适配比的陪烧靶在氩气环境下可以制备出纯c轴取向的Tl-1223超导薄膜,充氧退火后的薄膜具有较好的电学性能,其临界转变温度T（c onset）达到116K,临界电流密度达到1.5MA/cm2（77 K,0 T）.实验结果表明,采用这一新的烧结方法制备Tl系超导薄膜具有升降温时间和恒温时间短、生产成本低等特点.

关键词：铝酸镧基片 快速升温烧结方法 

单位：广西师范学院物理与电子工程学院; 南宁530001; 桂林电子科技大学信息与通信学院; 桂林541004