摘要：对65 nm互补金属氧化物半导体工艺下不同尺寸的N型和P型金属氧化物半导体场效应晶体管（NMOSFET和PMOSFET）开展了不同偏置条件下电离总剂量辐照实验.结果表明：PMOSFET的电离辐射响应与器件结构和偏置条件均有很强的依赖性,而NMOSFET表现出较强的抗总剂量性能;在累积相同总剂量时,PMOSFET的辐照损伤远大于NMOSFET.结合理论分析和数值模拟给出了PMOSFET的辐射敏感位置及辐射损伤的物理机制.

关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管 辐射损伤 数值仿真 

单位：强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室; 西安710024; 西北核技术研究所; 西安710024