摘要：可导线性位错被普遍认为是GaN基器件泄漏电流的主要输运通道,但其精细的电学模型目前仍不清楚.鉴于此,本文基于对GaN肖特基二极管的电流输运机制分析提出可导位错的物理模型,重点强调：1）位于位错中心的深能级受主态（主要Ga空位）电离后库仑势较高,理论上对泄漏电流没有贡献; 2）位错周围的高浓度浅能级施主态电离后能形成势垒高度较低的薄表面耗尽层,可引发显著隧穿电流,成为主要漏电通道;3）并非传统N空位,认为O替代N所形成的浅能级施主缺陷应是引发漏电的主要电学态,其热激活能约为47.5 meV.本工作亦有助于理解其他GaN器件的电流输运和电学退化行为.

关键词：可导位错 gan肖特基二极管 浅能级施主态 泄漏电流 

单位：江南大学电子工程系、物联网技术应用教育部工程研究中心; 无锡214122; 西安电子科技大学、宽带隙半导体技术国家重点学科实验室; 西安710071