摘要：本文采用直流磁控溅射方法在普通浮法玻璃基底上制备了立方多晶铁锰矿结构的铟锡氧化物（indium tin oxide, ITO）薄膜,并对其进行了结晶性、表面粗糙度、紫外-可见吸收光谱、折射率、介电常数及霍尔效应的测试.研究了溅射时基底温度的改变对于ITO薄膜的光电、表面等离子体性质的影响.随着基底温度由100？C升高至500？C,其光学带隙（3.64—3.97eV）展宽,减少了电子带间跃迁的概率,有效降低了ITO薄膜的光学损耗.与此同时,对应ITO薄膜的载流子浓度（4.1×10-20-—2.48×10-21cm^-3）与迁移率（24.6—32.2 cm^2·V^-1·s^-1）得到提高,电学损耗明显降低.

关键词：表面等离子体 铟锡氧化物 光学损耗 电学损耗 

单位：长春理工大学材料科学与工程学院; 高功率半导体激光国家重点实验室; 长春130022; 吉林大学理论化学研究所; 超分子结构与材料国家重点实验室; 长春130012