摘要：利用PICS3D计算得到InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱的增益特性,得到量子阱的各项参数,再通过传输矩阵理论和TFCalc膜系设计软件分别仿真出上下分布式布拉格反射镜的白光反射谱.采用金属有机化合物气相沉积技术外延生长了垂直腔面发射激光器结构,之后通过干法刻蚀、湿法氧化以及金属电极等芯片技术制备得到8μm氧化孔径的VCSEL芯片.最终,测试得到其光电特性实现室温下阈值电流和斜效率分别为0.95 mA和0.96 W/A,在6 mA电流和2 V电压下输出功率达到4.75 mW,并测试了VCSEL的高温特性.

关键词：垂直腔面发射激光器 分布式布拉格反射镜 量子阱 金属有机化合物气相沉积 

单位：北京工业大学激光工程研究院; 北京100124; 华芯半导体科技有限公司; 泰州225300; 扬州大学物理科学与技术学院; 扬州225002