摘要：研制开发新型的光电材料对促进社会经济发展具有重要的科学意义和实用价值.利用宽禁带CuInO2铟基材料实现全透明光电材料是目前深入研究的热点.通过基于密度泛函的第一性原理计算方法,本文计算出掺杂元素Mg, Be, Mn在CuInO2的形成能.计算结果表明,施主类缺陷(如掺杂元素替代Cu原子或进入间隙位置)由于较高的形成能和较深的跃迁能级,很难在CuInO2材料中出现N型导电;而受主缺陷中,在氧原子化学势极大的情况下, Mg原子替代In能成为CuInO2理想的受主缺陷.计算结果可为制备性能优异的CuInO2材料提供指导.

关键词：cuino2 掺杂 形成能 

单位：广西科技大学理学院; 柳州545006; 广西科技大学材料科学与工程研究中心; 柳州545006