摘要：采用磁控溅射法在未掺杂和掺杂的SrTiO3基片上沉积了NiFe薄膜,通过翻转测试法分离出掺杂样品中的自旋整流电压和逆自旋霍尔电压.研究结果表明:在未掺杂的SrTiO3基片中,翻转前后测试的电压曲线基本一致,为NiFe薄膜自旋整流效应产生的电压.对于掺Nb浓度x为0.028, 0.05, 0.1, 0.15, 0.2的SrTiO3基片,分离出的逆自旋霍尔电压随掺杂浓度增加而减小,在掺杂浓度为0.15和0.2的样品中没有探测到明显的逆自旋霍尔电压.本文的结果表明,在SrTiO3中掺入强自旋轨道耦合的杂质,通过掺杂浓度可以实现对SrTiO3中逆自旋霍尔效应的调控,这类可调控的自旋相关研究为自旋电子器件的研究和开发提供了更多的可能性,具有很大的潜在应用价值.

关键词：掺杂 srtio3 逆自旋霍尔效应 

单位：电子科技大学电子科学与工程学院; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 成都611731