摘要：本文建立了多工位公自转磁控溅射系统镀膜过程的物理模型，通过把基片运动与镀膜过程的模拟结合在一起，运用时间步长划分的算法仿真公自转系统下矩形靶沉积的三维膜厚分布，并使用同样的方法计算纯自转磁控溅射系统沉积薄膜的厚度分布，最后将两个结果进行对比。研究表明，随着自转与公转速度比例的调节，公自转系统在最优转速比0．5时所制得的薄膜厚度均匀性较纯自转系统得到明显地改善，此结论与实验结果保持一致。

关键词：磁控溅射 转速比 膜厚均匀性 

单位：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都610054