摘要：针对弹体高速侵彻硬目标过程中存在的弹载电子仪器在高g值加速度冲击作用下的失效问题，设计了一套电子器件抗冲击实验装置。采用Hopkinson杆加载技术，将被考核的芯片与Hopkinson杆尾部紧密相贴，根据一维应力波理论，得到界面质点的速度，从而得到考核芯片的速度及加速度。通过模拟高g值冲击实验研究了电池的抗冲击性能以及常用的2种晶振EX03、KSS和可编程逻辑器件在灌封和未灌封状态下不同冲击方向（平行和垂直）的抗冲击性能和失效机理。研究结果对弹载电子仪器的抗高冲击设计和正常使用具有一定的参考价值。

关键词：侵彻 冲击 hopkinson杆 失效机理 

单位：中北大学电子测试技术重点实验室仪器科学与动态测试教育部重点实验室 太原030051