摘要：为了提高电阻层析成像正问题计算精度，提出一种新型拓扑结构有限元模型：模型内部区域采取非均匀分布形式，模型外部区域模拟敏感场均匀分布时电流线的分布形式与分布密度，并以模型外部区域的起始层数和模型各层半径为变量（最外层除外），利用改进遗传算法优化新型拓扑结构有限元模型。实验结果表明：敏感场均匀分布时，优化后新型拓扑结构有限元模型相比传统按等间隔原理剖分的有限元模型及其改进模型，模型均方根值分别降低了84．175％、23．643％、20．943％，有效提高了正问题计算精度，降低了图像相对误差。

关键词：电阻层析成像 正问题 拓扑结构 遗传算法 图像相对误差 

单位：徐州工程学院虚拟现实与多维信息处理实验室 徐州221111 天津大学电气与自动化工程学院 天津300072