摘要：总结了绝缘栅双极型晶体管（insulated gate bipolar transistor，IGBT）模块的功率管及反并联二极管开关暂态过程的主要特征，建立了相应的开关模型，并在此基础上得到了损耗分析模型。建立的开关模型充分考虑了导通电流对开关暂态过程的影响，利用该模型可准确再现任意一个开关周期的开关暂态电压、电流波形，为功率变换器的损耗分析奠定了基础。该模型不仅适用于DC/DC变换器，而且适用于相邻开关周期内开关管导通电流不相等的变换器，如AC/DC和DC/AC变换器。采用Simulink/ Stateflow对开关暂态过程及损耗模型进行了仿真，仿真与实验结果对比证实了所提出的开关模型和损耗模型的正确性。

关键词：损耗分析 模型 开关暂态 绝缘栅双极型晶体管 波形拟合 

单位：南京航空航天大学自动化学院 江苏省南京市210016