摘要：在采用变压器耦合作为隔离电路的固体继电器中,变压器工作在自激振荡状态,通过磁芯将高频信号传递到变压器次级,较高的du/dt和di/dt产生较大的对外传导干扰,严重时会影响到其他电子设备的正常工作。以某型号变压器耦合式直流固体继电器为研究对象,在建立功率二极管、功率MOSFET的高频模型和变压器等效电路模型,以及考虑寄生参数对传导发射影响的基础上,建立固体继电器用于传导发射分析的精确时域电路模型。采用Pspice软件仿真得到固体继电器输入端电源线对外传导发射量,仿真结果与实验结果吻合良好。为抑制传导发射,提出在固体继电器输入端串入EMI滤波器的优化方案。试验结果显示,优化后输入端电源线对外传导发射低于国军标GJB1515A-CE102的规定,提高了固体继电器的电磁兼容性能。该固体继电器传导发射分析方法对继电器的电磁兼容性能预测具有指导意义。

关键词：变压器耦合 固体继电器 传导发射 emi滤波器 电磁兼容 

单位：哈尔滨工业大学军用电器研究所 黑龙江省哈尔滨市150001