摘要：为在全温度范围内准确反映碳化硅（silicon carbide,SiC）MOSFET的工作特性,提出一种基于Pspice仿真软件的SiC MOSFET变温度参数模型。该模型中引入温控电压源和温控电流源以补偿SiC MOSFET静态特性随温度的变化,同时着重考虑了SiC MOSFET的低温特性和驱动电路负压的影响。详细阐述建模原理,分析各个关键参数对SiCMOSFET静态特性及动态特性的影响,给出建模原理。搭建基于Buck变换器的SiC MOSFET测试实验样机,在不同电压点、电流点及温度点（25-125℃）下进行实验测试,并将测试结果与基于变温度参数Pspice模型的仿真波形和损耗估算结果进行比较。比较结果高度吻合,功率损耗误差在10%以内,验证了提出的变温度参数模型的准确性和有效性,为实际应用中采用SiC MOSFET器件进行系统分析和效率评估提供了重要的依据。

关键词：碳化硅mosfet 变温度参数 pspice建模 buck变换器 

单位：清华大学电机系电力系统国家重点实验室 北京市海淀区100084 江苏省新能源发电与电能变换重点实验室(南京航空航天大学) 江苏省南京市210016