摘要：为了进一步深入认识绝缘子污秽闪络过程及机制，设计了电弧等离子体光学诊断实验平台，通过在污秽中掺入了微量锂元素作为示踪元素，并基于染污绝缘表面交流电弧发射光谱测量及特性分析，获得了不同泄漏电流下电弧等离子体的谱线分布和微观参数。利用谱线相对强度法，计算了电弧温度；通过分析钠元素分立谱线Stark半展宽值，获得了电弧通道的电子密度。实验结果表明：随着泄漏电流幅值的增加，局部电弧的温度升高、电子密度并没有显著变化；在临界闪络阶段，电弧等离子体的电子密度骤增；闪络发生时，电弧温度达到7400 K，电子密度升至7.64x10^17 cm-3。

关键词：染污绝缘表面 交流电弧 光谱 电弧温度 电子密度 

单位：西安交通大学电气工程学院 陕西省西安市710049 中国电力科学研究院 北京市海淀区100192