摘要：该文报道具有最小比导通电阻的～1.7 k V 4H-SiC结势垒肖特基二极管。首先通过数值仿真对结势垒肖特基（junction barrier Schottky,JBS）二极管的有源区和终端结构进行了优化设计。实验结果验证了场限环（floating guard ring,FGR）终端的优化设计结构具有较强的鲁棒性,能够抵抗工艺中环间距的变化以及钝化层中寄生电荷的影响。实验制作的4H-SiC结势垒肖特基二极管实现了2.5 mΩ·cm^2的最小比导通电阻值,接近于理论值（2.4 mΩ·cm^2）,并且具有优秀的反向阻断特性,获得了最高1.75 k V的阻断电压（达到了95%的理论值）和83%的器件良率,从而实现了SiC JBS二极管品质因数的最高记录（U2^2/Ron_sp=1 225 MW/cm^2）。

关键词：结势垒肖特基二极管 阻断电压 比导通电阻 场限环 

单位：浙江大学电气工程学院 浙江省杭州市310007