摘要：SiCMOSFET与SiMOSFET由于和IGBT具有很好的兼容性发展尤其迅速，但又因缺乏栅极电容cGs和C0x参数提取的有效手段，影响了其性能评价、模型仿真以及应用水平的提高。该文在分析SiCMOSFET典型的电阻负载电路基础上，针对其导通过程中栅极电流变化会带来栅极电容CGS和Cox计算上的困难，提出增加恒流源电路维持SiCMOSFET导通过程栅极驱动电流恒定，从而只需简单计算便可提取栅极电容CGs和Cox参数的实验方法。针对某一型号具体器件进行了参数提取实验，所得到的结果与datasheet的结果较吻合，验证了该方法的有效性；另外，不同负载、环境温度对采用文中方法得到的栅极电容CGs和Cox结果影响较小，而不同直流电压对栅极电容％。结果影响较大，较高直流电压下参数提取的结果较稳定。

关键词：sic mosfet 栅极电容 参数提取 恒流源电路 

单位：输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室(重庆大学); 重庆市沙坪坝区400044