摘要：双向饱和磁通门原理具有优良的温度稳定性,然而该方法局限于被测磁场强度（Hp）大于磁芯最小饱和磁场强度（Hsat）的条件。该文研究Hp＜Hsat情况下激励电流的变化规律,得出被测电流的表达式及其成立条件,完善了双向饱和磁通门原理。在此基础上提出新的检测方法,设计传感器样机,进行仿真与实验研究。所设计的传感器能测量0-1.2A的小电流（Hp＜Hsat）与1.2-150A的大电流（Hp＞Hsat）,测量精度为0.5%。温度由25℃上升到120℃时所引起的测量误差小于0.085%。测试结果与仿真结果具有很好的一致性,验证了测量原理的正确性与测量方法的有效性。

关键词：电流传感器 温度稳定性 磁通门 双向饱和 磁滞回线 

单位：省部共建电工装备可靠性与智能化国家重点实验室(河北工业大学); 天津市红桥区300130