摘要：该文概述垂直型RC-IGBT自发明以来的主要发展和当前的主要研究问题,包括:IGBT正向输出特性的Snap-back抑制、RC-IGBT关断及二极管反向恢复动态波形优化、器件纵向漂移区载流子浓度分布优化、器件横向载流子密度及电场分布均匀性优化、器件工作时的温度特性、工艺问题及器件仿真问题等。文中同时简要介绍ABB、英飞凌、三菱及富士推出的最新一代逆导型IGBT器件的器件特性及结构特征。

关键词：逆导型igbt 回跳 反向恢复 载流子分布 

单位：浙江大学电气工程学院; 浙江省杭州市310027; 嘉兴斯达半导体股份有限公司; 浙江省嘉兴市314006