摘要：研究了980nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)的结构设计和器件制作，实现了室温下的脉冲激射。在脉宽为50μs，占空比为5：1000的脉冲电流下，直径400μm的器件输出光功率最高可达380mW，发散角小于10°，光谱的半高全宽为0．8nm。

关键词：激光技术 半导体激光器 垂直腔面发射激光器 分子束外延 量子阱结构 

单位：中国科学院激发态物理开放实验室; 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所; 吉林长春130021; 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室; 吉林长春130022; 吉林大学电子科学与工程学院; 吉林长春130026