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钨丝掩模二次倾斜离子注入850nm室温连续垂直腔面发射激光器

王海嵩; 杜国同; 崔宏峰; 许呈栋; 宋俊峰; 杜云; 陈弘达; 吴荣汉 中国激光 2004年第02期

摘要:采用钨丝做掩模,进行倾斜的离子注入优化电流限制区,制作出室温连续的垂直腔面发射激光器件。该器件的最低阈值电流为1.4mA,串联电阻约207Ω,输出光功率超过1mW。

关键词:激光技术钨丝掩模离子注入垂直腔面发射激光器

单位:吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室; 吉林长春130023; 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室; 北京100083

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