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自发辐射因子对VCSEL在大信号调制下的分岔及混沌行为的影响

邓果; 潘炜; 罗斌 中国激光 2004年第03期

摘要:在SIMULINK平台下开发了垂直腔面发射激光器(VCSEL)的动态仿真模型,实施高频大信号调制情形下的动态仿真,避免了大信号近似处理,提高了计算精度。选择自发辐射因子为控制参量,定量分析它对VCSEL稳定性和分岔点的影响。结果表明,在所选参量条件下,自发辐射因子数值在5×10°~5×10°之间时,随着调制深度的加深,VCSEL峰值光子密度产生分岔,呈现双稳、多周期.最后回到单周期;当小于10^-5时,进人混沌状态的演变过程。同时分岔点的移动依赖于自发辐射因子的大小,调控自发辐射因子可以抑制系统的非线性行为。仿真结果与文献实验结果吻合。

关键词:分岔混沌大信号调制自发辐射因子垂直腔面发射激光器

单位:西南交通大学计算机与通信上程学院; 四川成都610031; 宽带光纤传输与通信系统技术国家重点实验室; 四川成都610054

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