摘要：采用低压金属有机化学气相外延法(LP-MOVPE)生长并制作了1．3μm脊型波导结构偏振无关半导体光放大器(SOA)，有源区为基于四个压应变量子阱和三个张应变量子阱交替生长的混合应变量子阱(4C3T)结构，压应变阱宽为6nm，应变量1．0％，张应变阱宽为11nm，应变量-0．95％；器件制作成7°斜腔结构以有效抑制腔面反射。半导体光放大器腔面蒸镀Ti3O5/Al2O3减反(AR)膜以进一步降低腔面剩余反射率至3×10^-4以下；在200mA驱动电流下，光放大器放大的自发辐射(ASE)谱的3dB带宽大于50nm，光谱波动小于0．4dB，半导体光放大器管芯的小信号增益近30dB，在1280-1340nm波长范围内偏振灵敏度小于0．6dB，饱和输出功率大于10dBm，噪声指数(NF)为7．5dB。

关键词：激光技术 偏振无关 半导体光放大器 应变量子阱 金属有机化学气相外延法 

单位：华中科技大学光电子工程系; 湖北武汉430074; 华中科技大学激光技术国家重点实验室; 湖北武汉430074