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高掺杂浓度Yb:YAG晶体的生长及光谱性能

徐晓东; 赵志伟; 宋平新; 周国清; 邓佩珍; 徐军 中国激光 2004年第08期

摘要:应用中频感应提拉法生长了掺杂浓度高达50at.-%的Yb:YAG晶体,研究了室温下Yb:YAG晶体的吸收和发射光谱特性以及荧光寿命,在939nm和969nm处存在Yb^3+离子的2个吸收带,能与InGaAs激光二极管(LD)有效耦合,适合激光管二极抽运。其荧光主峰位于1032nm附近,Yb:YAG晶体的荧光寿命为390μs。比较了高掺杂与低掺杂Yb:YAG晶体的光谱参数,指出高掺杂Yb:YAG晶体是一种很有前景的高功率激光增益介质。

关键词:材料提拉法晶体生长光谱特性

单位:中国科学院上海光学精密机械研究所; 上海201800

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