摘要：如果在折射率较高的电介质基底上镀一层折射率较低的电介质薄膜（介质膜的另一侧为折射率更低的介质，如空气），并且恰当选择基底内光束的入射角，使得光束在基底一介质膜界面上折射到薄膜内、在薄膜一空气界面上全反射，那么反射光束的Goos—Hǎnchen（GH）位移在一定条件下会得到共振增强。采用微波技术直接地测量了这种Goos—Hǎnchen位移随电介质膜厚度的变化，测量结果与理论预言吻合得较好。

关键词：共振增强 电介质膜 微波测量 

单位：中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学技术国家重点实验室; 陕西西安710068; 上海大学理学院物理系; 上海200444; 华中科技大学光电子工程系; 湖北武汉430074