摘要：采用丘克劳斯基（Czochralski）法生长了Tm：YAP晶体，研究了该晶体在室温下的吸收光谱和荧光光谱。结果表明，Tm：YAP晶体在689．5nm和795nm左右有较强的吸收峰，分别对应于^3H6→^3F3和^3F6→^3F4的能级跃迁，半峰全宽（FWHM）分别为22．5nm和30nm，吸收截面分别为1．89×10^-20cm^2和1．35×10^-20cm^2。荧光光谱表明Tm：YAP晶体发射波长为1．89／μm，相应的荧光寿命为13．90ms，发射截面为1．58×10^219cm^2。根据乍得一奥菲特（Judd-Ofelt）理论计算了Tm^3＋在Tm：YAP晶体中的强度参数：Ω2=1．4560×10^-20cm^2，Ω4=2．0673×10^-20cm^2，Ω6=0．3181×10^-20cm^2。结果表明，Tm：YAP晶体具有宽的吸收峰、长荧光寿命和较大的积分发射截面的性质，非常适合于激光二极管（LD）抽运，有利于获得低阈值高效率的2μm波段激光输出。

关键词：材料 光谱特性 

单位：上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室; 上海200030; 上海交通大学物理系; 上海200030