摘要：在分子束外延（MBE）生长的基础上，采用脉冲阳极氧化工艺制作了非对称、宽波导InGaAlAs／AlGaAs／GaAs应变双量子阱（DQW）结构准连续（QCW）线阵半导体激光器，实现了808nm波段线阵激光器的高效率、高功率运转。脉冲阳极氧化工艺主要用于器件工艺中的蚀刻与绝缘膜制备，电解液采用乙二醇：去离子水：磷酸；2％盐酸的体积比为40；20；1；1的混合溶液。研制的准连续线阵半导体激光器的填充因子约为72．7％，100Hz，200μs准连续工作条件下的阈值电流约为24A，斜率效率达到1．25W／A，最大电-光转换效率达到51％。

关键词：激光器 半导体激光器 阳极氧化 应变量子阱 线阵激光器 

单位：长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室; 吉林长春130022