摘要:以Al0.3Ga0.7 As/InAlGaAs/Al0.3Ga0.7As压应变量子阱代替传统的无应变量子阱作为有源区,实现降低808nm半导体激光器的阈值电流,并提高器件的效率。首先优化设计了器件结构,并利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)进行了器件的外延生长。通过优化外延生长条件,保证了5.08cm片内的量子阱(OW)光致发光(PL)光谱峰值波长均匀性达0.1%。对于条宽为50/zm,腔长为750/zm的器件,经镀膜后的阈值电流为81mA,斜率效率为1.22W/A,功率转换效率达53.7%。变腔长实验得到器件的腔损耗仅为2cm^-1,内量子效率达90%。结果表明,压应变量子阱半导体激光器具有更优异的特性。
关键词:激光器 inalgaas量子阱 金属有机物化学气相淀积
单位:北京工业大学北京光电子技术实验室; 北京100022
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