摘要：用FeSi2合金靶作为靶材，采用准分子激光沉积法在Si（111）单晶基片上制备了单相的p-FeSi2薄膜，并将飞秒脉冲激光沉积法（PLD）引入到β-FeSi2薄膜的制备工艺中；用X射线衍射仪（XRD），场扫描电镜（FSEM），能谱仪（EDS），紫外可见光光谱仪研究了薄膜的结构、组分、表面形貌和光学性能。基片温度为500℃，采用KrF准分子脉冲激光沉积法可获得单相的β-FeSi2薄膜。衬底温度为550℃时，β-FeSi2出现迷津状薄层。采用飞秒脉冲激光法β-FeSi2薄膜的合成温度比准分子脉冲激光沉积法制备温度低50～100℃；薄膜的晶粒分布均匀连续，没有微米级的微滴；飞秒脉冲激光沉积效率比准分子激光的高1000倍以上，是一种快速高效的β-FeSi2薄膜沉积技术。

关键词：薄膜 脉冲激光沉积法 飞秒激光 

单位：华中科技大学激光技术国家重点实验室; 武汉光电国家实验室; 湖北武汉430074; 江汉大学物理与信息工程学院; 湖北武汉430056