摘要：利用石英闭管法对金属有机化学气相沉积（MOCVD）外延生长的应变量子阱（MQW）650nm A1GaInP／GalnP材料进行选择区域扩Zn，使扩Zn区域的光致发光（PL）谱的峰值蓝移达175meV，形成对650nm波长激光器的高透腔面，有益于减少激光器腔面光吸收，增加了激光器退化的光学灾变损伤（COD）阈值。后工艺制作出条宽100μm，腔长1mm的增益导引激光器，实现了红光半导体激光器的大功率输出。激光器阈值电流为382mA，在2．28A工作电流时达到光学灾变损伤阈值，最大连续输出光功率1．55W，外微分量子效率达到0．82W／A。

关键词：激光器 红光半导体激光器 大功率 高透腔面 650 

单位：山东大学信息科学与工程学院晶体材料国家重点实验室; 山东济南250100; 山东华光光电子有限公司; 山东济南250101