摘要：建立了一维半导体Ge激光烧蚀模型,对不同功率密度的紫外激光烧蚀半导体Ge的过程进行了模拟,并对计算结果进行了分析,得到激光功率密度对烧蚀过程以及蒸气膨胀动力学特性的影响。结果表明,激光功率密度的变化对烧蚀过程影响非常大。照射的激光功率密度越大,靶的表面温度越高,蒸发深度、烧蚀蒸气温度和膨胀的速度、相应蒸气膨胀的空间尺度也越大,且等离子体屏蔽现象出现得越早。在给定的烧蚀条件下,等离子体屏蔽的阈值在1×10^8～1.5×10^8W/cm^2之间。

关键词：激光技术 等离子体 数值模拟 脉冲激光烧蚀 晶体ge 

单位：大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室 辽宁大连116024 黄山学院信息工程学院 安徽黄山245021