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4H—SiC金属-半导体-金属结构紫外探测器的模拟与分析

张军琴 杨银堂 卢艳 娄利飞 赵妍 中国激光 2008年第04期

摘要:用MEDICI软件对金属一半导体一金属(MSM)结构4H—SiC紫外(UV)探测器的FV特性以及光谱响应等特性进行了模拟与分析,并探讨了金属电极的宽度、电极间距以及外延层厚度对探测器响应度的影响。结果表明,室温下该探测器的暗电流线性密度达到10^-13A/μm,且在不同电压下光电流至少比暗电流大两个数量级;探测器的光谱响应范围为200-400nm,在347nm处响应度达到极大值;增大指宽或者减小指间距可以提高探测器的响应度;当波长小于峰值波长时外延层厚度对探测器的响应度基本没影响,而当波长大于峰值波长时随着外延层厚度的增大探测器的响应度有所增大。

关键词:探测器紫外探测器模拟光谱响应

单位:西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 陕西西安710071

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