摘要：采用丘克拉斯基（Czochralski）技术生长了掺铥硅酸镥（Tm：Lu2SiO5，Tm：LSO）晶体；测量了LSO晶体在室温下的非偏振吸收光谱和非偏振荧光光谱；利用窄得-奥菲特（Judd-Ofelt）理论计算了Tm：LSO晶体的窄得-奥菲特强度参数、振子强度、自发辐射概率、辐射寿命、积分吸收截面和积分发射截面。Tm：LSO晶体的强度参数为Ω2=9．1355×10^-20cm^2，Ω4=8．4103×10^-20cm^2，Ω6=1．5908×10^-20cm^2；Tm：LSO晶体在1．9μm附近有明显的发射峰（^3F4→^3H6跃迁），相应的辐射寿命为2．03ms，积分发射截面为5．81×10^-18cm^2，半峰全宽（FWHM）为250nm。用Tm：LSO晶体在77K温度下实现了激光运转。利用792nm的激光二极管（LD）作为抽运源，获得中心波长为1960nm的激光输出，抽运阈值为2．13kW／cm^2。

关键词：激光器 固体激光器 激光材料 铥离子 斯塔克能级 

单位：哈尔滨工业大学可调谐激光技术部级重点实验室 黑龙江哈尔滨150001 中国科学院上海光学精密机械研究所激光与光电子功能材料研究中心 上海201800