摘要：以半解析热分析理论为基础，研究超高斯分布激光二极管（LD）端面抽运背冷式微片Nd：YAG晶体的热效应。通过对超高斯分布激光二极管端面抽运背冷式微片Nd：YAG晶体工作特点分析建立热模型，利用热传导方程新的求解方法得出微片Nd：YAG晶体内部温度场、热形变场、附加光程差（OPD）半解析计算表达式；利用附加光程差得出微片Nd：YAG晶体的热焦距计算表达式。研究结果表明，当使用总功率为24．2kW，10％占空比4阶超高斯分布激光二极管抽运时，微片上获得70．36℃最高温升，0．465μm最大热形变，0．836μm最大附加光程差。

关键词：激光技术 微片激光器 热分析 超高斯分布 背冷 

单位：西安建筑科技大学理学院 陕西西安710055