摘要：设计并制备了980nm高量子效率和极低光损耗的激光二极管（LD）外延材料和器件。微通道封装1cm激光二极管阵列在连续（CW）工作条件下最大电光效率达到60．0％，相应的斜率效率和输出光功率分别为1．1W／A和38．2W。测试得到外延材料的内损耗系数和内最子效率分别为0．58cm^-1和91．6％。测试分析表明，器件电光效率的提高主要在于新刊的InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱和大光腔结构设计。

关键词：半导体激光器 电光效率 大光腔 

单位：中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心 北京100083 中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室 北京100083