摘要：为实现垂直腔面发射激光器（VCSEL）氧化孔径的精确控制，对垂直腔面发射激光器湿法氧化工艺的氧化速率规律进行了实验研究。在不同的温度下对垂直腔面发射激光器样品进行湿法氧化，氧化后采用扫描电镜（SEM）对氧化层不同氧化深度处生成物组成进行了微区分析。结果表明在不同氧化深度处氧化生成物各元素的组分含量不同，尤其氧元素的组分含量差别较大。分析和讨论了氧化不同阶段的反应类型和反应生成物，并建立了氧化速率随时间变化的数学模型，推导出在湿法氧化过程中，氧化速率随时间按指数规律变化，指出在一定的温度下，氧化时间越长，氧化速率越趋于稳定；适当降低氧化温度，延长氧化时间可提高氧化工艺的可控性与准确性。

关键词：激光技术 垂直腔面发射激光器 湿法氧化 扫描电镜微区分析 氧化速率 

单位：长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室 吉林长春130022 中国人民解放军装甲兵技术学院 吉林长春130117