摘要：利用化学气相淀积（CVD）的方法在AlN／Si（111）复合衬底上成功实现了4H—SiC薄膜的异质外延生长，用X射线衍射（xRD）、扫描电子显微镜（SEM）、阴极荧光（CL）等方法对所得样品的结构特征、表面形貌和光学性质进行了表征测量。XRD测量结果显示得到的SiC薄膜的晶体取向单一；室温CL结果表明所得SiC薄膜为4H—SiC，且随着生长温度的升高，SiC薄膜的CL发光效率提高。生长温度、反应气源中C／Si比等工艺参数对SiC薄膜的外延生长及其性质影响的研究表明在A1Njsi（111）复合衬底上外延4H—SiC的最佳衬底温度为1230～1270℃，比通常4H—SiC同质外延所需的温度低200～300℃；较为合适的C／Si比值为1．3。

关键词：化学气相淀积 异质外延 阴极荧光 

单位：南京大学物理系光电信息功能材料重点实验室 江苏南京210093