摘要:用化学气相淀积方法,在Si(100)衬底上生长Si1-xGex:C合金作为缓冲层、继而外延生长了Ge晶体薄膜,用x射线衍射(xRD)、俄歇电子能谱(AES)、拉曼(Raman)衍射光谱等对所得到的样品进行了表征测量,着重研究了Si1-xGex:C缓冲层生长温度对样品结构特征的影响。结果表明:Si1-xGex:C缓冲层中的Ge原子浓度沿表面至衬底方向逐渐降低,其平均组分随着生长温度的升高而降低,这与较高生长温度(760~820℃)所导致的原子扩散效应相关;在Si1-xGex:C缓冲层上外延生长的Ge薄膜具有单一的晶体取向,薄膜的晶体质量随着温度的升高而降低。
关键词:ge薄膜 化学气相淀积 生长温度
单位:南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室 江苏南京210093
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