摘要：利用低压金属有机化学气相沉积（LP—MOCVD）生长了无铝980nm InGaAs／InGaAsP／InGaP单量子阱（SQW）激光器，测试了含铝的InGaAs／GaAs／A1GaAs和无铝的InGaAs／InGaAsP／InGaP两种不同材料的980nm InGaAs SQW激光器在30～70℃范围内的P-I-V特性曲线，对比分析了两种材料系980nm激光器输出光功率、阈值电流、斜率效率和激射波长随温度的变化，并对InGaAs／InGaAsP／InGaP激光器进行了可靠性实验。

关键词：激光器 大功率激光器 热特性 无铝 特征温度 

单位：北京工业大学北京光电子技术实验室 北京100022