摘要：在解析热分析理论的基础上，建立了平板Nd：LuVO4激光晶体在激光二极管阵列侧面抽运时的导热微分方程。通过对方程的求解，得到了Nd：LuVO4晶体内部温度场解析式，热形变场分布、温度场和热形变场的数值模拟表明，当抽运光功率为40w，抽运区域为1mm×4mm时，晶体在x方向的最高相对温升为11．63K，y和z方向的最高温升为11．00K；在x，y，z三方向上的热形变量分别为0．050μm，0．034μm和0．48μm。这一结果可为Nd：LuVO4激光器设计提供理论支持。

关键词：激光器 温度场 热形变场 

单位：石河子大学师范学院生态物理重点实验室 新疆石河子832003 西安建筑科技大学理学院 陕西西安710055 中国电子科技集团第三十九研究所 陕西西安710065