摘要：为了研究温度对980 nm垂直腔面发射激光器（VCSEL）输出特性的影响,理论计算模拟了温度为365 K和400 K时980 nm VCSEL的功率-电流特性（P-I）曲线,计算了器件的特征温度。实验结果验证了理论计算结果,依据实验结果分析了温度变化对器件输出特性的影响。

关键词：半导体激光器 垂直腔面发射激光器 特征温度 温度变化 输出特性 

单位：中国科学院长春光学精孝机械与物理研究所激发态物理重点实验室 吉林长春130033 中国科学院研究生院 北京100049