摘要：以金属有机化学气相沉积（MOCVD）外延的P型GaN为阴极发射层材料，通过对激活过程中阴极光电流的在线监测，考察了Cs激活，Cs／O交替激活以及高低温两步激活对GaN阴极光电发射性能的影响。实验结果表明，单用Cs激活就可制备出量子效率约为20％的GaN光电阴极，Cs激活后再进行2～3个Cs／O循环激活可小幅度提高量子效率，高低温两步激活不能进一步提高量子效率。利用偶极层表面模型对实验现象进行了解释。

关键词：光电子学 gan光电阴极 激活工艺 紫外探测 

单位：重庆大学光电工程学院光电技术与系统教育部重点实验室 重庆400044 南京理工大学电子工程与光电技术学院 江苏南京210094