摘要：利用饱和吸收的方法得到了铯分子在780 nm附近X1Σg＋→B1Πu能级跃迁吸收带的一段饱和吸收谱,利用铷87Rb原子饱和吸收谱的5S1/2（F=2）→5P3/2（F′=2）的跃迁线为标准确定这一段饱和吸收谱的位置。实验中对其中的5条吸收峰进行了仔细观测,利用其中的一条饱和吸收峰“R5”对780 nm半导体激光器进行了稳频。测得稳频后的激光在800 s内频率的漂移小于1.5 MHz,从而提供了一种利用铯分子饱和吸收峰对780 nm半导体激光器进行稳频的新方法。此激光可以用于制备超冷基态铯分子,同时也可作为光通信波段1560 nm处的倍频参考光。

关键词：激光光学 稳频 饱和吸收光谱 铯分子 半导体激光器 

单位：山西大学物理电子工程学院量子光学与光量子器件国家重点实验室 山西太原030006