摘要：氩氟（ArF）浸没干涉光刻系统可产生高分辨周期图形,是研究高数值孔径ArF浸没光刻的有力工具。消色差ArF浸没干涉光刻系统能降低系统对曝光光源的相干性要求,实现高分辨率成像。提出了一种双液体层消色差浸没干涉光刻系统,由衍射理论和几何光学理论分析了系统的消色差原理和成像机制。对比传统的单液体层系统分析了其成像性能并分析其优点。结果表明,该系统的成像焦深和可分辨像场宽度较大且不依赖于激光光源的带宽;系统性能对外界环境不敏感,成像稳定性得到改善;该系统以简单的对称结构解决了干涉光刻成像中ArF准分子激光光源相干性差的问题,并保证了系统成像性能的稳定。

关键词：成像系统 浸没干涉光刻 消色差 相干性 焦深 

单位：长沙学院电子与通信工程系 湖南长沙410003 北京理工大学光电学院光电成像技术与系统教育部重点实验室(筹) 北京100081