摘要：近年来，可见盲与太阳盲光电探测器在火灾监控、太空通信和导弹尾焰探测等方面的应用引起了越来越多的关注。由于氮化镓（GaN）是直接宽带隙半导体材料，所以成为了在可见区与紫外区的光电器件的首选材料，而p-i—n结构的器件因其响应度高、暗电流低、便于集成等优点倍受人们的青睐。采用金属有机气相外延（MOCVD）法制备了p—i—n结构的GaN紫外光电探测器。在此基础上，采用N2气氛下热退火处理的方法，提高了P型GaN层的载流子浓度，从而降低了器件的暗电流。器件在1V偏压下，暗电流仅为65pA。器件在1V偏压下的最大响应度值出现在361nm处，大小为0．92A/W。

关键词：光学器件 光电探测器 氮化镓 响应度 暗电流 

单位：空军航空大学特种专业系 吉林长春130000 吉林市计量测试技术研究院 吉林吉林132013