摘要：超大数值孔径（NA）光刻成像中,掩模保护膜上的入射光线入射角范围增大,用传统方法优化掩模保护膜难以增大斜入射光的透射率。基于薄膜光学原理提出一种新的掩模保护膜优化方法,确保光线在整个入射角范围内的平均透射率最大。利用琼斯矩阵方法探讨膜层的透射属性和相位特征,得到相应的琼斯光瞳来分析膜层带来的偏振像差。结果表明,对比传统的掩模保护膜优化方法,新方法能有效提高斜入射光线的透射率,减小膜层引起的偏振像差。新的掩模保护膜优化方法能为超大NA光刻成像的掩模保护膜设置提供必要的理论基础和技术支撑。

关键词：成像系统 偏振像差 超大数值孔径光刻 掩模保护膜 琼斯矩阵方法 

单位：长沙学院电子与通信工程系 湖南长沙410003 北京理工大学光电学院光电成像技术与系统教育部重点实验室(筹) 北京100081 长沙学院光电信息技术创新团队 湖南长沙410003